郑州大学学报(理学版)

2021, v.53(02) 111-116

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GaN-Si-NPA异质结中的点缺陷及其光电特性调控
The Point Defect and Optoelectronic Property Control of GaN/Si-NPA Heterojunction

李新建;段丙新;

摘要(Abstract):

以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为功能性衬底,采用化学气相沉积法制备了GaN/Si-NPA异质结。实验发现,在富镓条件下GaN生长过程中容易引入镓空位和氮间隙等点缺陷,从而对异质结的发光及电学特性产生不良影响。在氨气氛围中进行高温退火后,GaN/Si-NPA的光致发光谱发生明显变化,对应于缺陷发光的黄光发光峰强度和半高宽明显减小,反映出GaN中点缺陷种类和浓度均显著减少。进一步的电学性能测试结果显示,GaN/Si-NPA异质结在退火前后均具有整流效应,但退火后异质结的漏电流密度显著减小,开启电压、正向电流密度、反向截止电压和整流比均有所增加。通过对GaN/Si-NPA异质结在氨气氛围中进行高温退火,可以实现对其点缺陷种类和浓度的有效调控。

关键词(KeyWords): 氮化镓;硅纳米孔柱阵列;退火处理;缺陷

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金项目(11974016)

作者(Author): 李新建;段丙新;

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DOI: 10.13705/j.issn.1671-6841.2020240

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